Какое направление имеют включенные р-n-переходы затвора полевого транзистора, изображенного на рисунке?

На рисунке, данный полевой транзистор имеет структуру N-канала MOSFET (транзистор с полевым эффектом с N-каналом). Для более детального объяснения, давайте разберем каждый из р-n-переходов затвора по отдельности.

Рисунок не прилагается, поэтому я буду предполагать, что левая часть транзистора - это затвор, а справа - исток и сток. Также я буду рассматривать P-канал MOSFET, так как N-каналный MOSFET имеет обратную полярность в своих р-n-переходах.

Р-n-переход между истоком и каналом:
В данном транзисторе такой переход имеет место быть. При формировании P-канала MOSFET, N-слоя основа имеет контакт с P-областью и формируется р-n-переход между ними. На рисунке данный переход находится справа от затвора, между подложкой транзистора и зоной канала. Такой р-n-переход представляет собой переход между материалами различной проводимости, где N-слоё обладает относительно большим концентрацией свободных электронов, а P-слоя содержит примеси с концентрацией носителей обратного знака (дырок). Этот р-n-переход имеет направление от истока к затвору.

Р-n-переход между затвором и каналом:
Другим р-n-переходом в транзисторе является переход между затвором и зоной канала. На рисунке, данный переход находится между левой стороной затвора и каналом. В N-канале MOSFET, затвор представляет собой P-область, и примеси в затворе образуют p-n переход с N-областью канала. Этот р-n-переход имеет направление от затвора к каналу.

Итак, чтобы ответить на ваш вопрос, направление включенных р-n-переходов затвора полевого транзистора таково:
- Р-n-переход между истоком и каналом имеет направление от истока к затвору.
- Р-n-переход между затвором и каналом имеет направление от затвора к каналу.

Надеюсь, это разъяснение помогло вам понять направление р-n-переходов в затворе полевого транзистора. Если у вас возникнут еще вопросы, пожалуйста, не стесняйтесь задавать их.