Какие из нижеприведенных утверждений верны для собственных полупроводников? A) Дырки образуются при захвате электронов

Давайте рассмотрим каждое утверждение по отдельности:

A) Дырки образуются при захвате электронов атомами акцепторных примесей.

Да, это утверждение верно. В полупроводниках, при наличии акцепторных примесей, нейтральный атом этой примеси может захватить электрон и образовать положительно заряженный ион. Такая дефективная область без электрона называется дыркой. Дырки ведут себя как положительные заряды и могут перемещаться по полупроводнику.

B) Уровень Ферми находится в середине запрещенной зоны.

Нет, это утверждение неверно. Уровень Ферми представляет собой уровень энергии, который имеет 50% заполнение электронами и 50% пустые места (дырки). Уровень Ферми располагается вблизи верхней границы запрещенной зоны в случае полупроводников с электронным типом проводимости и вблизи нижней границы запрещенной зоны в случае полупроводников с дырочным типом проводимости.

C) Валентная зона не заполняется полностью электронами.

Да, это утверждение верно. Валентная зона представляет собой энергетическую зону, в которой находятся электроны, связанные с атомами полупроводника. Валентная зона может быть частично заполнена электронами в зависимости от конкретного полупроводника.

D) Сопротивление полупроводников снижается при повышении температуры.

Да, это утверждение верно. При повышении температуры у полупроводников возрастает тепловая активность, что приводит к увеличению подвижности ионов и электронов. Увеличение подвижности электронов приводит к уменьшению сопротивления полупроводника.

Таким образом, правильные утверждения для собственных полупроводников: A) Дырки образуются при захвате электронов атомами акцепторных примесей. C) Валентная зона не заполняется полностью электронами. D) Сопротивление полупроводников снижается при повышении температуры.