1. Яку провідність матиме Германій, якщо в нього як домішку додали: а) Фосфор, б) Індій, в) Арсеній? 2. Яку провідність

під опір 75 кОм і підключений до джерела напруги з електродвигуном. Яка сила струму протікає через джерело напруги при освітленні фоторезистора, якщо напруга джерела становить 6 В та його внутрішній опір - 12 Ом?

1. Для визначення провідності Германію при додаванні домішок, необхідно знати, як впливає кожна з домішок на провідність Германію. Отже, розглянемо кожну домішку окремо:

а) Фосфор - відомо, що фосфор має провідність, близьку до нуля. Тому, якщо до Германію додати фосфор, провідність Германію також буде дуже мала.

б) Індій - індій є напівпровідником з додатним зарядом, тому якщо до Германію додати індій, провідність Германію збільшиться.

в) Арсеній - арсеній також є напівпровідником, але з від"ємним зарядом. Тому, якщо до Германію додати арсеній, провідність Германію також збільшиться, але менш ніж у випадку з індієм.

2. Розглянемо другу задачу:

а) Бор - бор є напівпровідником з додатним зарядом, тому якщо до Германію додати бор, провідність Германію збільшиться.

б) Стибій - стибій також є напівпровідником, але з від"ємним зарядом. Тому, якщо до Германію додати стибій, провідність Германію збільшиться, але менш ніж у випадку з бором.

в) Галій - галій також є напівпровідником з додатним зарядом. Тому, якщо до Германію додати галій, провідність Германію збільшиться, але менш ніж у випадку з бором.

3. Пошагове рішення третьої задачі:

Знаючи опір фоторезистора в темряві \(R_1 = 25 \, \text{кОм}\) та опір резистора включеного послідовно \(R_2 = 75 \, \text{кОм}\), ми можемо використати закон Ома для знаходження загального опору кола:

\[R_{\text{заг}} = R_1 + R_2 = 25 \, \text{кОм} + 75 \, \text{кОм} = 100 \, \text{кОм}\]

Тепер, застосуємо закон Ома для знаходження сили струму:

\[I = \frac{U}{R_{\text{заг}}} = \frac{6 \, \text{В}}{100 \, \text{кОм}}\]

Після обчислень отримуємо:

\[I = 0.06 \, \text{мА}\]

Таким чином, сила струму, що протікає через джерело напруги при освітленні фоторезистора, становить 0.06 мА.