а) Кинетична енергія фотоелектронів не залежить від частоти падаючого світла б) Максимальна енергія фотоелектронів

а) Кинетичная энергия фотоэлектронов не зависит от частоты падающего света.
Обоснование: Кинетическая энергия фотоэлектронов определяется формулой \(E = hf - \phi\), где \(E\) - кинетическая энергия, \(h\) - планковская постоянная, \(f\) - частота света, \(\phi\) - работа выхода (энергия, необходимая, чтобы фотоэлектрон покинул поверхность материала). По этой формуле видно, что кинетическая энергия фотоэлектронов зависит от разности между энергией падающего фотона (\(hf\)) и работой выхода (\(\phi\)). Частота света (\(f\)) не влияет на величину разности между этими двумя энергиями. Поэтому кинетическая энергия фотоэлектронов не зависит от частоты падающего света.

б) Максимальная энергия фотоэлектронов увеличилась.
Обоснование: Максимальная энергия фотоэлектрона определяется работой выхода (\(\phi\)), которая зависит от материала, из которого состоит поверхность. Если изменить материал, то изменится и работа выхода. При использовании другого материала с меньшей работой выхода, максимальная энергия фотоэлектронов увеличится. Это может быть достигнуто путем изменения состава материала или его химической структуры.

в) Максимальная скорость движения фотоэлектронов осталась неизменной.
Обоснование: Максимальная скорость фотоэлектронов зависит от кинетической энергии, которая, как было сказано в пункте (а), не зависит от частоты падающего света. Поэтому, даже если изменяется частота света, максимальная скорость фотоэлектронов остается неизменной.

г) Количество фотоэлектронов, выбиваемых светом за 1 секунду, не изменится.
Обоснование: Количество фотоэлектронов, выбиваемых светом, зависит от интенсивности света и площади поверхности, по которой падает свет. При условии, что не меняется интенсивность света и площадь поверхности, количество фотоэлектронов, выбиваемых светом, останется неизменным за 1 секунду.