При нагревании полупроводников происходит существенное уменьшение сопротивления, что можно объяснить одним из следующих

электронов и дырок, б) изменением энергетической зоны, c) ростом межэлементных соединений. Дайте подробное объяснение каждого из факторов.

А) Значительное увеличение количества свободных электронов и дырок происходит при нагревании полупроводников из-за термической активации. В полупроводниках есть энергетическая зона, разделенная на валентную зону, заполненную электронами, и зону проводимости, в которой могут находиться свободные электроны. Когда полупроводник нагревается, энергия тепла передается электронам и дыркам, что приводит к их активации и переходу в зону проводимости.

Б) Изменение энергетической зоны также может объяснить уменьшение сопротивления полупроводников при нагревании. Энергетическая зона полупроводника может быть изменена энергией, поступающей на него при нагреве. Это изменение может создать условия для более свободного движения электронов и дырок, что уменьшает сопротивление полупроводника.

В) Рост межэлементных соединений является еще одним фактором, который может приводить к уменьшению сопротивления при нагревании полупроводников. При нагревании полупроводников атомы начинают двигаться более активно, что приводит к росту межатомных связей и укреплению структуры материала. Это уменьшает сопротивление полупроводника и позволяет электронам свободно протекать через него.

Все эти факторы вместе приводят к существенному уменьшению сопротивления полупроводников при их нагревании. Разумеется, подробности и конкретные аспекты могут зависеть от конкретного типа полупроводника и условий нагревания.