Помогите! 1. Какие типы зарядов присутствуют в полупроводниках p-типа: А) фотоны; Б) электроны; В) дырки. 2. Какие типы зарядов присутствуют в полупроводниках n-типа: А) дырки; Б) нейтроны; В) электроны. 3. Донорная примесь характеризуется наличием атома с: А) большей валентностью; Б) меньшей валентностью; В) такой же валентностью. 4. Акцепторная примесь характеризуется наличием атома с: А) меньшей валентностью; Б) такой же валентностью; В) большей валентностью. 5. На пересечении двух полупроводников разных типов образуется: А) непроводящий слой; Б) запирающий слой.
Таинственный_Акробат_2805
Конечно, я помогу вам с этими вопросами о полупроводниках!
1. Типы зарядов, присутствующие в полупроводниках p-типа:
- В полупроводниках p-типа преобладают дырки. Дырка - это отсутствие электрона в кристаллической решетке. Образование дырок происходит из-за наличия примесей с требуемой валентностью. Когда атом примеси занимает место в кристаллической решетке, недостающий электрон влияет на ближайшие электроны, вызывая смещение валентной зоны. В результате создается проводимость, и дырки становятся основными носителями заряда в полупроводнике p-типа.
2. Типы зарядов, присутствующие в полупроводниках n-типа:
- В полупроводниках n-типа преобладают электроны. Здесь при формировании полупроводника нейтральным атомам добавляются примеси с экстра-электронами, называемые донорами. Эти дополнительные электроны влияют на проводимость материала, и электроны становятся основными носителями заряда в полупроводнике n-типа.
3. Донорная примесь характеризуется наличием атома с:
- Донорная примесь характеризуется наличием атома с большей валентностью. При введении донорной примеси в полупроводник проводимость материала возрастает, так как добавленный атом имеет больше электронов, чем атомы материала. Эти электроны становятся свободными и могут свободно двигаться, обеспечивая проводимость.
4. Акцепторная примесь характеризуется наличием атома с:
- Акцепторная примесь характеризуется наличием атома с меньшей валентностью. При введении акцепторной примеси в полупроводник, атом примеси может принять дополнительные электроны от окружающих атомов полупроводника. Это создает дырки в материале, которые становятся основными носителями заряда.
5. На пересечении двух полупроводников разных типов образуется:
- На пересечении двух полупроводников разных типов образуется запирающий слой или p-n переход. В этом области происходит рекомбинация электронов из n-типа и дырок из p-типа, что приводит к образованию объединенного заряда в запирающем слое. Этот слой препятствует свободному движению зарядов, поэтому он является непроводящим слоем.
Надеюсь, все объяснения были доходчивыми и понятными. Если у вас остались какие-либо вопросы, пожалуйста, задайте их!
1. Типы зарядов, присутствующие в полупроводниках p-типа:
- В полупроводниках p-типа преобладают дырки. Дырка - это отсутствие электрона в кристаллической решетке. Образование дырок происходит из-за наличия примесей с требуемой валентностью. Когда атом примеси занимает место в кристаллической решетке, недостающий электрон влияет на ближайшие электроны, вызывая смещение валентной зоны. В результате создается проводимость, и дырки становятся основными носителями заряда в полупроводнике p-типа.
2. Типы зарядов, присутствующие в полупроводниках n-типа:
- В полупроводниках n-типа преобладают электроны. Здесь при формировании полупроводника нейтральным атомам добавляются примеси с экстра-электронами, называемые донорами. Эти дополнительные электроны влияют на проводимость материала, и электроны становятся основными носителями заряда в полупроводнике n-типа.
3. Донорная примесь характеризуется наличием атома с:
- Донорная примесь характеризуется наличием атома с большей валентностью. При введении донорной примеси в полупроводник проводимость материала возрастает, так как добавленный атом имеет больше электронов, чем атомы материала. Эти электроны становятся свободными и могут свободно двигаться, обеспечивая проводимость.
4. Акцепторная примесь характеризуется наличием атома с:
- Акцепторная примесь характеризуется наличием атома с меньшей валентностью. При введении акцепторной примеси в полупроводник, атом примеси может принять дополнительные электроны от окружающих атомов полупроводника. Это создает дырки в материале, которые становятся основными носителями заряда.
5. На пересечении двух полупроводников разных типов образуется:
- На пересечении двух полупроводников разных типов образуется запирающий слой или p-n переход. В этом области происходит рекомбинация электронов из n-типа и дырок из p-типа, что приводит к образованию объединенного заряда в запирающем слое. Этот слой препятствует свободному движению зарядов, поэтому он является непроводящим слоем.
Надеюсь, все объяснения были доходчивыми и понятными. Если у вас остались какие-либо вопросы, пожалуйста, задайте их!
Знаешь ответ?