Каково расположение связанных зарядов на поверхности диэлектрической пластинки, которая закреплена между обкладками

Для того чтобы понять расположение связанных зарядов на поверхности диэлектрической пластинки, закрепленной между обкладками заряженного плоского конденсатора, сначала нужно вспомнить, как работает конденсатор.

Конденсатор состоит из двух проводящих пластин, между которыми находится диэлектрик (в данном случае - диэлектрическая пластинка). Конденсатор заряжается путем подключения к электрическому источнику, который создает потенциал разности U между обкладками.

Когда конденсатор заряжен, на обкладки пластинки подействуют силы притяжения и отталкивания между зарядами. Отталкивание происходит между одноименными зарядами (положительными или отрицательными), а притяжение - между разноименными зарядами.

Расположение связанных зарядов на поверхности диэлектрической пластинки зависит от направления векторов электрического поля. В данном случае, так как одна сторона диэлектрической пластинки находится между обкладками конденсатора, внутри пластинки создается электрическое поле, направленное от одной обкладки к другой.

Это электрическое поле вызывает поляризацию диэлектрика, то есть перераспределение связанных зарядов внутри пластинки. Заряды могут сместиться относительно начального положения, чтобы создать электрическое поле, равное и противоположное по направлению вектору электрического поля между обкладками. Таким образом, положительные заряды будут смещены к отрицательно заряженной обкладке, а отрицательные заряды - к положительно заряженной обкладке.

Расположение связанных зарядов на поверхности диэлектрической пластинки будет такое, чтобы создать электрическое поле внутри пластинки исходящее из положительно заряженной обкладки и направленное к отрицательно заряженной обкладке.

Подробное математическое описание распределения связанных зарядов на поверхности пластинки в данной задаче может быть сложным и требует знания дополнительных данных, таких как формы обкладок и пластинки, граничных условий и других характеристик системы.