1) Уменьшается кислотность высших оксидов в ряду C–Si–Ge.
2) Сокращается размер атома в ряду C–Si–Ge.
3) Растет валентность элемента в высших оксидах в ряду C–Si–Ge.
4) Количество энергетических уровней в атоме элемента не меняется в ряду C–Si–Ge.
5) Электроотрицательность элементов уменьшается в ряду C–Si–Ge.
2) Сокращается размер атома в ряду C–Si–Ge.
3) Растет валентность элемента в высших оксидах в ряду C–Si–Ge.
4) Количество энергетических уровней в атоме элемента не меняется в ряду C–Si–Ge.
5) Электроотрицательность элементов уменьшается в ряду C–Si–Ge.
Донна
1) В ряду C–Si–Ge кислотность высших оксидов уменьшается. Это связано с тем, что элементы в этом ряду имеют различные электроотрицательности. Кислотность оксида зависит от его способности отдавать протоны (H+) в растворе. Чем больше электроотрицательность элемента, тем большую аффинность он имеет к электронам и тем слабее он отдает протоны. В ряду C–Si–Ge электроотрицательность элементов увеличивается от углерода до германия, поэтому кислотность их оксидов уменьшается.
2) В ряду C–Si–Ge размер атома сокращается. Это происходит из-за увеличения заряда ядра и эффективного притяжения электронов, когда мы двигаемся от углерода к германию. Большая зарядность ядра притягивает электроны к себе с большей силой, что делает атомы меньше.
3) Валентность элемента увеличивается в высших оксидах в ряду C–Si–Ge. Валентность отражает число электронов, которые атом может отдать или принять при формировании химических связей. В высших оксидах элементы стараются достичь превышения положенных им октетных правил (N=8 электронов во внешнем энергетическом уровне) и поэтому могут иметь валентность, большую, чем их обычная валентность. Поэтому, в ряду C–Si–Ge, германий имеет большую валентность, чем кремний, а кремний большую валентность, чем углерод.
4) Количество энергетических уровней в атоме элемента не меняется в ряду C–Si–Ge. Количество энергетических уровней зависит от числа электронов в атоме. В ряду C–Si–Ge атомы имеют одинаковое количество энергетических уровней, так как каждый из них находится в том же периоде периодической таблицы и имеет соответствующий номер атома этих элементов.
5) Электроотрицательность элементов уменьшается в ряду C–Si–Ge. Электроотрицательность - это способность атома притягивать электроны в химической связи. Углерод, кремний и германий имеют различные электроотрицательности. В ряду C–Si–Ge электроотрицательность уменьшается по мере движения от углерода к германию. Углерод имеет самую высокую электроотрицательность, а германий - самую низкую.
2) В ряду C–Si–Ge размер атома сокращается. Это происходит из-за увеличения заряда ядра и эффективного притяжения электронов, когда мы двигаемся от углерода к германию. Большая зарядность ядра притягивает электроны к себе с большей силой, что делает атомы меньше.
3) Валентность элемента увеличивается в высших оксидах в ряду C–Si–Ge. Валентность отражает число электронов, которые атом может отдать или принять при формировании химических связей. В высших оксидах элементы стараются достичь превышения положенных им октетных правил (N=8 электронов во внешнем энергетическом уровне) и поэтому могут иметь валентность, большую, чем их обычная валентность. Поэтому, в ряду C–Si–Ge, германий имеет большую валентность, чем кремний, а кремний большую валентность, чем углерод.
4) Количество энергетических уровней в атоме элемента не меняется в ряду C–Si–Ge. Количество энергетических уровней зависит от числа электронов в атоме. В ряду C–Si–Ge атомы имеют одинаковое количество энергетических уровней, так как каждый из них находится в том же периоде периодической таблицы и имеет соответствующий номер атома этих элементов.
5) Электроотрицательность элементов уменьшается в ряду C–Si–Ge. Электроотрицательность - это способность атома притягивать электроны в химической связи. Углерод, кремний и германий имеют различные электроотрицательности. В ряду C–Si–Ge электроотрицательность уменьшается по мере движения от углерода к германию. Углерод имеет самую высокую электроотрицательность, а германий - самую низкую.
Знаешь ответ?